热门关键词:顶盛体育,顶盛体育首页  
当前位置:首页 > 案例展示
NIST和Sematech开发后置FTIR技术,密切相关低K【顶盛体育首页】
2020-12-06 [88577]
本文摘要:据NIST半导体部门的CMOS和领导新型零部件组的EricVogel称,该研究目前正在着手解决晶体管的计量问题,最终解决代替它的零部件的计量问题。这导致NIST团队的化学家ChristinaHacker共同开发观测分子识别接口的新背面FTIR技术。

单层

目前纳米装置被指出有可能取代现有半导体,主要问题是它的认识问题。研究的材料和结构似乎远远超出了CMOS的范围。之后,为了符合对提高零部件性能的拒绝,最重要的是通过测量技术,允许工程师仔细观察和记录识别与分子(研究任何物质)之间的相互作用。

此外,分析密切相关的零件的内部特性是必需的。例如,在分子电子学领域,不考虑认识的影响,不需要在自我组装断层上开展任何光谱学研究。

nationalinstituteofstandardsandtechnology(NIST,美国国家标准局)的研究人员正在努力开发满足它的技术。据NIST半导体部门的CMOS和领导新型零部件组的EricVogel称,该研究目前正在着手解决晶体管的计量问题,最终解决代替它的零部件的计量问题。

金属

对于超强CMOS领域,该团队研究了两种具有潜力的技术。第一种是分子电子学,第二种叫做限量版硅。

根据测定,比较这两种技术是有根据的,最终将取代标准硅晶体管。目前的焦点是确认密切相关和解释这些设备的工作状态所需的内容。在分子电子学领域,该小组研究了与分子内传输相关的各种道理。

他们多次证明分子和电极之间的接口是要求整个部件结构电子特性的关键。这导致NIST团队的化学家ChristinaHacker共同开发观测分子识别接口的新背面FTIR技术。分子单层(或其他薄膜)的FTIR光谱使用IR电磁波辐射进入IR半透明衬里背面和IR镜子单层顶部的厚金属层。

用金属化单层的无制度光线吸收红外光谱得到的光谱可以制作非金属化单层的传输FTIR光谱,而这种隐蔽界面的传输FTIR光谱可以研究金属涂层和有机分子之间的相互作用。过去,为了仔细观察金属和薄膜如何相互作用,一般需要展开金属变薄或堆积较厚的金属,这种方法很有吸引力。

这种方法不存在的问题是,它制造出与现实零件结构明显不同的东西。在分子电子学中,在元件结构内,分子和薄膜之间再次发生的相互作用带来了很大的困难。背面FTIR可用于与实际设备完全相同的过程。该小组论证说,使用FTIR装置时,如黄金和铝在烷烃单层堆积时,不会有很大的扰动。

研究

但是使用钛是引起反感的扰动。这证明了这种方法需要研究用作其他分子和栅极电极。NIST和Sematech还开发了后置FTIR技术,密切相关低K介质金属栅电极系统,导致了类似的问题。也就是说,一旦去除金属,就很难对下面的薄膜展开分析测定。

(威廉莎士比亚,Northern Exposure(美国电视连续剧),)如果不考虑摩尔定律的无限市场需求,特别是10年后,没有人希望Si、SiGe或类似于低K金属门和结构的SOI衰退。但是,为了扩大和替换Si晶体管,寻找新的零部件和材料是在此期间必须面对的巨大挑战。


本文关键词:金属,密切相关,顶盛体育首页,技术

本文来源:顶盛体育-www.nwccreditunion.com