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提取:高温压力传感器用于很多领域,高温会导致缩放电路过热,因【顶盛体育】
2020-11-01 [28979]
本文摘要:传感器由MEMS过程构建,信号橡胶和信号处理由计算机完成。对电路的工作过程进行了计算机建模和实验,导出了微高温压力传感器的MEMS工艺设计过程。MEMS工序如下:高温压力传感器由硅隔膜、衬里、下部电极和绝缘层组成。

提取:高温压力传感器用于很多领域,高温会导致缩放电路过热,因此使用缩放电路和传感器分离的设计方案是解决问题高温测量的方法之一。介绍一种基于模型识别技术的小型电容式压力传感器,该传感器将缩放电路与传感器设备分离。

传感器由MEMS过程构建,信号橡胶和信号处理由计算机完成。对电路的工作过程进行了计算机建模和实验,导出了微高温压力传感器的MEMS工艺设计过程。0是压力传感器,特别是普遍的传感器。

传统的压力传感器,机械结构型零件大部分是弹性元件的应力命令压力,但这种结构尺寸大,质量重,无法获得电输入。随着半导体技术的发展,半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小,质量重,准确度低,温度特性好。

温度

特别是随着MEMS技术的发展,半导体传感器向小型化发展,耗电量小,可靠性低。高温压力传感器是为了解决问题,测量高温环境下各种气体、液体的压力。

主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下的压力、各种发动机钢体内的压力、高温油液和检查、油井压力的测定等。目前研究较多的高温压力传感器主要有SOS、SOI、SiO2、Poly2Si等半导体传感器、喷出物合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器、高温容量压力传感器等。半导体电容式压力传感器比压阻型压力传感器灵敏度低,温度稳定性好,功耗小,容易受到压力,不易变形,因此电容式压力传感器被广泛应用于多个领域。

温度

1元件的基本组成及制造工艺硅电容式压力传感器的敏感元件是半导体薄膜,可以利用单晶硅、多晶硅等半导体工艺制造。典型的电容式传感器由上下电极、绝缘体和基板组成。薄膜不受压力时,薄膜不会再次发生一定的变形,因此上下电极之间的距离会再次发生一定的变化,使电容器发生变化。

(大卫亚设,Northern Exposure(美国电视剧),)但是电容压力传感器的电容与上下电极之间的距离关系是非线性的,因此需要利用具有补偿功能的测量电路对输入电容展开非线性补偿。由于高温压力传感器在高温环境下工作,校正电路不受环境温度的影响,因此误差较小。

基于模型识别的高温压力传感器旨在防止补偿电路在高温环境下工作时出现小误差,将传感器和缩放电路分离出来,通过模型识别获得测量环境的压力。高温工作空间温度平均为350。

感应装置由铂电阻和电容压力传感器组成。MEMS工序如下:高温压力传感器由硅隔膜、衬里、下部电极和绝缘层组成。其中下电极位于薄底座的基板上。

在电极上敷一层绝缘层。硅膜片是利用各向异性生锈的技术,在一块硅片前面生锈而成的。(威廉莎士比亚、硅、硅、硅、硅、硅、硅、硅)上、下电极的空隙是硅的腐蚀深度要求的。硅膜片和衬里采用粘接技术,形成具有一定稳定性的硅膜片容量压力传感器[2]。

由于钚电阻对高温有抵抗力,容易受到温度的影响,因此,与钚电阻一起用作一般电阻和温度传感器,可以观察测量到的环境温度。金属钚电阻和硅膜片的参数在0到1000。电阻率为1.052631610-5厘米。密度为21440公斤/m3。

比热容为132.51J/(kgK),熔体温度为1769C,因此铂电阻可加工为0.02毫米宽。厚度为0.2米。总长度为3800米,呈锯齿状,在大小为10V的相位信号中长时间工作。

电容式压力传感器上下电极的间距为3米,圆形平板电容器上下电极的半径为73米,容量值为50pF。明确的过程流程图如图1的右图所示。2基于识别技术的模型及其建模是系统的方程式为UO(s)=G(s)Ui(s)。

电极

其中UO(s)和Ui(s)分别是输入和输出信号。如果输入、输出信号和系统的阶数未知,可以通过计算机按。

本文主要介绍了应用于模型识别的方法,以确认高温下电容式压力传感器的容量值。2.1电路型号基本电路由金属钚电阻和电阻式高温压力传感器组成(图2)。金属钚电阻易受温度变化影响,零度时电阻值为1000,温度系数为385110-6/,温度变化范围为-50 ~ 350,适当的电阻为803.07 ~ 2296.73。以阻力的变化来限制环境的温度。

压力传感器在不同的压力下容量值不同,因此在相同温度下输出相同的交流电压信号时,输入信号不同。


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